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電子元器件市場被有力拉升景氣恢復(fù)在即
去年電子行業(yè)持續(xù)下滑跌入低谷，元器件行業(yè)受其影響整體景氣也隨之陷入低迷，今年經(jīng)過復(fù)蘇，并受到觸控顯示、OLED液晶面板以及中低端智能手機的帶動之下，電子元器件行業(yè)整體處于穩(wěn)定上升狀態(tài)，市場被有力拉升景氣恢復(fù)在即。
2012-02-16
電子元器件 OLED LED 液晶顯示 智能手機
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電子元器件市場被有力拉升景氣恢復(fù)在即
去年電子行業(yè)持續(xù)下滑跌入低谷，元器件行業(yè)受其影響整體景氣也隨之陷入低迷，今年經(jīng)過復(fù)蘇，并受到觸控顯示、OLED液晶面板以及中低端智能手機的帶動之下，電子元器件行業(yè)整體處于穩(wěn)定上升狀態(tài)，市場被有力拉升景氣恢復(fù)在即。
2012-02-16
電子元器件 OLED LED 液晶顯示 智能手機
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運動傳感器將成移動終端熱門應(yīng)用
敏感元件與傳感器是電子信息裝備制造業(yè)中的基礎(chǔ)類產(chǎn)品，是重點發(fā)展的新型電子元器件中的特種元器件。近年來，在國家大力加強傳感器開發(fā)和應(yīng)用的一系列政策引導(dǎo)和支持下，我國傳感器已形成了一定的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，并在技術(shù)創(chuàng)新、自主研發(fā)、成果轉(zhuǎn)化等方面取得了長足進展。
2012-02-16
運動傳感器 移動終端
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TE推出業(yè)界最低電容硅靜電放電保護器件用于高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用
TE Connectivity旗下的一個業(yè)務(wù)部門TE電路保護部日前發(fā)布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護器件，可提供市場上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為 0.20pF）、最高的ESD保護（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-02-16
TE 硅靜電放電保護器件 SESD 保護器件
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TE推出業(yè)界最低電容硅靜電放電保護器件用于高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用
TE Connectivity旗下的一個業(yè)務(wù)部門TE電路保護部日前發(fā)布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護器件，可提供市場上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為 0.20pF）、最高的ESD保護（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-02-16
TE 硅靜電放電保護器件 SESD 保護器件
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TE推出業(yè)界最低電容硅靜電放電保護器件用于高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用
TE Connectivity旗下的一個業(yè)務(wù)部門TE電路保護部日前發(fā)布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護器件，可提供市場上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為 0.20pF）、最高的ESD保護（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-02-16
TE 硅靜電放電保護器件 SESD 保護器件
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PCC-M0512W：松下推出低直流電阻的電源電感器用于便攜設(shè)備
松下元器件公司（Panasonic Device）推出了直流電阻號稱業(yè)界最小的、采用金屬復(fù)合物鐵心結(jié)構(gòu)的電源電感器（功率扼流圈）“PCC-M0512W系列”。3.3μH產(chǎn)品的直流電阻為80mΩ，較該公司以前的產(chǎn)品減小了10～20％。外形尺寸為5.4mm×5.15mm×1.2mm，電感值為0.47～4.7μH，額定電流為2.2～5.5A。主要面向智能手...
2012-02-16
PCC-M0512W 松下 電源電感器
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KXTJ2：美國Kionix Inc.推出陀螺儀等5種新產(chǎn)品
羅姆集團旗下的美國Kionix Inc.（以下簡稱Kionix）此次面向智能手機和平板設(shè)備終端，開發(fā)出了以行業(yè)最小最薄的加速度傳感器為首的5種新產(chǎn)品。
2012-02-16
KXTJ2 美國Kionix Inc. 加速度傳感器 陀螺儀
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理解電容ESR的實際意義
ESR是高頻電解電容里面最重要的性能參數(shù)，很多電子元器件都強調(diào)“LOW ESR”這一性能特征，也就是ESR值很小的意思。那么，我們?nèi)绾握_理解LOW ESR的實際意義呢？本文將通過介紹電容ESR值與漣波電壓的關(guān)系及溫度對電容ESR值的影響，探討電容的ESR值對電容性能的影響。
2012-02-16
ESR 電解電容 漣波電壓
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