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如何降低數(shù)模設(shè)計(jì)過程中的數(shù)模干擾？
數(shù)模設(shè)計(jì)過程中要避免照搬經(jīng)驗(yàn)和規(guī)則，但要徹底講清這個(gè)問題，首先要明白數(shù)模干擾的機(jī)理，數(shù)字對(duì)模擬的影響可以分為串?dāng)_和共阻抗耦合兩種情況。
2016-09-26
數(shù)模設(shè)計(jì) 數(shù)模干擾
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工業(yè)旋轉(zhuǎn)變壓器傳感應(yīng)用的電氣設(shè)計(jì)要素
旋轉(zhuǎn)變壓器是機(jī)械或模擬傳感器，可用來確定電機(jī)的絕對(duì)位置和速度。旋轉(zhuǎn)變壓器傳感器可應(yīng)用于惡劣的環(huán)境，幫助獲得精確的角位置和速度數(shù)據(jù)。該類傳感器常用于工業(yè)，汽車和航空行業(yè)——特別是在電機(jī)或傳感器可能會(huì)被污染的惡劣環(huán)境中。
2016-09-09
傳感器 旋轉(zhuǎn)變壓器
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影響測控系統(tǒng)精度，淺談?dòng)?jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的抗干擾技術(shù)
由于工業(yè)現(xiàn)場的工作境往往十分惡劣，計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)不可避免地受到各種各樣的干擾。這些干擾可能會(huì)影響到測控系統(tǒng)的精度，使系統(tǒng)的性能指標(biāo)下降，降低系統(tǒng)的可靠性，甚至導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行混亂或發(fā)生故障，進(jìn)而造成生產(chǎn)事故。
2016-09-05
計(jì)算機(jī) 測控系統(tǒng) 抗干擾技術(shù)
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寄生電容耦合到電源：如何避免傳導(dǎo)EMI問題
電磁干擾EMI中電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過導(dǎo)線或公共電源線進(jìn)行傳輸，互相產(chǎn)生干擾稱為傳導(dǎo)干擾。傳導(dǎo)干擾給不少電子工程師帶來困惑，如何解決傳導(dǎo)干擾？這里，我們先著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時(shí)會(huì)發(fā)生的情況。
2016-08-25
傳導(dǎo)EMI 寄生電容 電源
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詳解消滅EMC的三大利器：電容器/電感/磁珠
濾波電容器、共模電感、磁珠在EMC設(shè)計(jì)電路中是常見的身影，也是消滅電磁干擾的三大利器。對(duì)于這這三者在電路中的作用，相信還有很多工程師搞不清楚。本文從設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)中，詳細(xì)分析了消滅EMC三大利器的原理。
2016-08-23
EMC 電容器 電感 磁珠
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靜電防護(hù)直接動(dòng)手，設(shè)計(jì)與整改相輔相成！
用靜電槍對(duì)插入到磁頭的帶銅箔的卡片，4KV大概率出現(xiàn)死機(jī)。其實(shí)低壓工作電子產(chǎn)品在實(shí)際客戶使用過程中面臨著頻繁的ESD放電危害，本文用一個(gè)實(shí)驗(yàn)的方式對(duì)低壓產(chǎn)品在實(shí)際ESD測試中出現(xiàn)的故障，進(jìn)行有力的闡述。
2016-08-15
靜電防護(hù) 靜電空中耦合 整改方案
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CISPR22 RE ClassB測試中RE輻射超標(biāo)十幾dB，怎么辦？
今天我們要研究的一個(gè)整改案例是一個(gè)為二次開發(fā)項(xiàng)目，在進(jìn)行CISPR22 RE ClassB測試中，RE輻射超標(biāo)了10幾dB，其超標(biāo)頻點(diǎn)來自于13.56MHz的高次諧波：149.16MHz，176.28MHz，203.4MHz，230.52MHz。看看我們的工程師是如何整改的。
2016-08-12
CISPR22 RE ClassB測試 RE輻射 超標(biāo) 整改
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產(chǎn)品ESD測試中，空氣放電機(jī)器容易死機(jī)怎么破？
某項(xiàng)目在進(jìn)行ESD測試當(dāng)中，當(dāng)靜電槍靠近塑膠機(jī)器浮地產(chǎn)品的外殼進(jìn)行空氣放電時(shí)12KV，機(jī)器容易死機(jī)，重啟或者VDD損壞。本文避重就輕，由EMC的點(diǎn)，來折射出EMC的面與體，我們選擇了材料與器件的EMC要點(diǎn)出發(fā)，深入地闡述電介質(zhì)的特點(diǎn)及應(yīng)用。
2016-08-12
ESD測試 空氣放電 死機(jī)
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RE102測試中，單點(diǎn)超標(biāo)且高頻有雜散如何整改？
今天我們將繼續(xù)討論輻射發(fā)射整改的理論模型與整改方法，深入闡述理論與實(shí)踐相輔相成。一鐵殼產(chǎn)品在進(jìn)行RE102測試中，頻段200MHz~1GHz中200多MHz單點(diǎn)超標(biāo)，且高頻有雜散單點(diǎn)較高。面對(duì)這種情況，我們?cè)撊绾握哪兀?/p>
2016-08-12
RE102測試 單點(diǎn)超標(biāo) 高頻雜散 整改
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