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如何利用TI Designs來(lái)驗(yàn)證和加快設(shè)計(jì)過(guò)程
如果處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA全部由同樣的電壓供電運(yùn)行，并且不需要排序和控制等特殊功能的話，會(huì)不會(huì)變的很簡(jiǎn)單呢？不幸的是，大多數(shù)處理器和FPGA需要不同的電源電壓，啟動(dòng)/關(guān)斷序列和不同類型的控制。
2022-02-08
TI Designs 處理器 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA
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如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入／輸出
對(duì)于SAR-ADC的仿真比較復(fù)雜。目前來(lái)看，還沒有準(zhǔn)確模擬整個(gè)器件的完整轉(zhuǎn)換器模型。現(xiàn)有資源是一個(gè)仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強(qiáng)大工具，使用戶能夠解決其中一個(gè)最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問題。
2022-02-08
仿真轉(zhuǎn)換器 數(shù)字輸入／輸出
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關(guān)于相控陣三種波束成型架構(gòu)的那些事兒~
本文對(duì)模擬、數(shù)字和混合波束成型架構(gòu)的能效比進(jìn)行了比較，并針對(duì)接收相控陣開發(fā)了這三種架構(gòu)的功耗的詳細(xì)方程模型。該模型清楚說(shuō)明了各種器件對(duì)總功耗的貢獻(xiàn)，以及功耗如何隨陣列的各種參數(shù)而變化。對(duì)不同陣列架構(gòu)的功耗/波束帶寬積的比較表明，對(duì)于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優(yōu)勢(shì)。
2022-02-08
相控陣 波束成型架構(gòu)
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淺談5G小基站中時(shí)鐘及無(wú)源射頻器件的應(yīng)用
5G的高速率、低延時(shí)、海量連接已被大家熟知，5G將萬(wàn)物互聯(lián)，實(shí)現(xiàn)AR交互、自動(dòng)駕駛、智慧城市等應(yīng)用場(chǎng)景是人們期盼已久的愿望。
2022-02-08
5G小基站 無(wú)源射頻器件 應(yīng)用
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基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上...
2022-02-08
基本半導(dǎo)體 碳化硅肖特基二極管
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針對(duì)SiC串?dāng)_抑制方法的測(cè)試報(bào)告
近年來(lái)，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開關(guān)頻率、高開關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關(guān)速度加快，橋式電路受寄生參數(shù)影響加劇，串?dāng)_現(xiàn)象更加嚴(yán)重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負(fù)向安全電壓較小，串?dāng)_問...
2022-02-08
SiCMOSFET 串?dāng)_抑制
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焦耳偷竊電路
這是一個(gè)來(lái)自于網(wǎng)站 Circuits DIY[1] 中的一篇博文，名字很有趣：Simple Joule Thief Circuit[2] ，直譯為焦耳偷竊電路。這個(gè)電路允許使用一個(gè)低壓電池（比如1.5V的干電池）去點(diǎn)亮一個(gè)原本需要1.85V才能夠點(diǎn)亮的白色LED。在博文 幾種不同顏色LED的V-A曲線[3] 中，給出了不同顏色LED導(dǎo)通所需要的電...
2022-02-08
焦耳偷竊電路 原理圖
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