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SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對(duì)稱的布板設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實(shí)際的測(cè)量結(jié)果。最后還通過(guò)門特卡羅分析來(lái)演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場(chǎng)合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。
2022-02-17
SiC MOSFET 模塊 硬并聯(lián)
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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：CMOS模擬開關(guān)
理想的模擬開關(guān)不存在導(dǎo)通電阻，具有無(wú)窮大的關(guān)斷阻抗和零延時(shí)，可以處理大信號(hào)和共模電壓。實(shí)際使用MOS晶體管構(gòu)建的模擬開關(guān)并不符合這些要求，但是如果我們了解模擬開關(guān)的局限性，多數(shù)也是可以克服的。導(dǎo)通電阻是其中一項(xiàng)局限因素，本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)將嘗試表征此開關(guān)規(guī)格。
2022-02-17
ADALM2000 CMOS 模擬開關(guān)
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集成驅(qū)動(dòng)器！原來(lái)，GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)……因此可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的電壓驅(qū)動(dòng)能力、更快的開關(guān)頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、...
2022-02-17
集成驅(qū)動(dòng)器 GaN電源 系統(tǒng)性能
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波反射——為何在RF設(shè)計(jì)中理解這個(gè)概念非常重要？
本文面向非RF工程師，簡(jiǎn)單介紹了與RF設(shè)計(jì)固有的關(guān)鍵特性相關(guān)的術(shù)語(yǔ)：波反射。在低頻下工作的普通電路與針對(duì)RF頻率設(shè)計(jì)的電路之間的關(guān)鍵區(qū)別在于它們的電氣尺寸。RF設(shè)計(jì)可采用多種波長(zhǎng)的尺寸，導(dǎo)致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設(shè)計(jì)和分析提供了一些基礎(chǔ)的核心原理特...
2022-02-17
波反射 RF 設(shè)計(jì)
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使用開放式交流/直流電源時(shí)如何確保獲得最佳效果
交流/直流電源（有時(shí)稱“離線”電源）廣泛用于照明、顯示、信息技術(shù)和工業(yè)應(yīng)用。除純電池供電的系統(tǒng)外，它們是幾乎所有電子系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)件。
2022-02-16
交流/直流電源 照明應(yīng)用 工業(yè)應(yīng)用
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貿(mào)澤電子為惡劣環(huán)境應(yīng)用提供豐富的資源和設(shè)計(jì)解決方案
專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子致力于為工程師提供業(yè)界新知與新資源，幫助他們打造創(chuàng)新設(shè)計(jì)。作為全球授權(quán)分銷商，貿(mào)澤此次推出的惡劣環(huán)境內(nèi)容中心包含一系列文章、產(chǎn)品、博客和圖表，提供了工程師所需的各類信息，為他們的設(shè)計(jì)工作全程助力。
2022-02-16
貿(mào)澤電子
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一個(gè)正負(fù)5v穩(wěn)壓電源的簡(jiǎn)單制作
在正常情況下我們很難找到一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的正負(fù)電源，就連我們使用的電池電壓都是正的，如果找到一個(gè)負(fù)電源那真是很難，而我們又會(huì)經(jīng)常會(huì)用到正負(fù)電源，這時(shí)候我們就得想辦法得到一個(gè)正負(fù)電源了，今天就教給大家一個(gè)非常簡(jiǎn)單的方法，讓你輕輕松松制作一個(gè)正負(fù)5v的穩(wěn)壓電源。
2022-02-16
正負(fù)5v穩(wěn)壓電源
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