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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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“創新強鏈，雙驅發展”2022年中國（深圳）集成電路峰會
由深圳市人民政府聯合中國半導體行業協會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組共同舉辦的以“創新強鏈，雙驅發展”為主題的“2022 中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022 峰會），將于2022年6月30日至7月1日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉行。
2022-06-13
中國（深圳）集成電路峰會
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功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實現方法是：
2022-06-13
功率器件 功率密度
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25kW SiC直流快充設計指南(第五部分)：控制算法、調制方案和反饋
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發。圖1代表到目前為止所討論的系統。
2022-06-13
直流快充 設計指南 控制算法
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電動汽車對提高車輛效率的需求正在改變供應鏈
幾年來，xEV的普及率一直很高。預計2021至2027年間，全球xEV市場的復合年增長率將達到21%，所有細分市場的復合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長，混合動力技術也將大幅增長。事實上，不同技術的普及率取決于地區。
2022-06-13
電動汽車 車輛效率 供應鏈
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保護IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標志。然而，越熟悉越容易大意。從統計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
IGBT MOSFET ESD
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貿澤電子榮獲知名互連廠商Hirose頒發的年度分銷商大獎
2022年6月10日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布榮獲創新連接器解決方案知名設計和制造商Hirose Electric USA頒發的2021年度分銷商大獎。這個年度分銷商獎旨在表彰在銷售額和增長率，以及客戶服務和滿意度方面表現突出的分銷商。
2022-06-10
貿澤電子 Hirose 連接器
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