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讓電動汽車延長5%里程的SiC主驅逆變器
本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 將電動汽車的續航里程延長多達 5%。另外，文中還討論了為什么一些原始設備制造商 (OEM) 不愿意從硅基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 過渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 為緩解 OEM 的擔憂同時提升 OEM 對這種成...
2023-11-12
SiC 逆變器 電動汽車
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能實現更高的電流密度和系統可靠性的IGBT模塊
隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產業不斷前行的關鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產品系列優化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現更高的電流密度和系統可靠性。
2023-11-12
IGBT模塊 馬達驅動 應用
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專為智能汽車車身域打造的直流有刷柵極驅動IC
TMI8721-Q1是一顆驅動外部4個N溝通MOSFET的單通道全橋柵極驅動芯片。優秀的驅動能力，使其可驅動大部分MOSFET，特別適用于汽車座椅自動調節，后尾門撐桿，玻璃升降、天窗、遮陽簾、門窗、方向盤調節、側滑門、電動踏板等電流偏大的場合。
2023-11-12
智能汽車 車身域 柵極驅動
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓...
2023-11-12
SiC MOSFET 器件特性
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了解 MOSFET 通態漏源電阻
分立 MOSFET 數據表中重要的規格之一是漏源通態電阻，縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單：當 FET 處于截止狀態時，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設電流為零。當 FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時，它處于“導通狀態”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on)...
2023-11-11
MOSFET 通態漏源電阻
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中國電信韋樂平：光通信發展的新趨勢思考
近日，在“中國電信戰新共鏈行動大會暨第三屆科技節”之“面向云網融合的下一代光網絡新技術論壇”上，中國電信集團科技委主任韋樂平發表主題演講。
2023-11-11
中國電信 光通信 趨勢
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能為電視和顯示器提供先進檢測功能的60GHz毫米波雷達
60GHz 雷達傳感器具有更短的波長和更多數量的發射和接收天線，可以準確檢測室內人員（四人或更多人數）的存在、運動和位置。毫米波雷達可提供多種功能，例如監控多個區域以確定每個區域是否有人員存在并跟蹤人員的移動。
2023-11-11
毫米波雷達 顯示器 檢測
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