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【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一： 納米測(cè)試（上）
材料性質(zhì)的研究是當(dāng)代材料科學(xué)的重要一環(huán)，所謂材料的性質(zhì)是指對(duì)材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料對(duì)電、磁、光、熱、機(jī)械載荷的反應(yīng)。源表SMU 在當(dāng)代材料科學(xué)研究中，起到舉足輕重的作用，選擇適合某類材料電性能測(cè)試的SMU，如何降低測(cè)試誤差，測(cè)試中應(yīng)當(dāng)注意什么，這些問題都需要重點(diǎn)關(guān)...
2021-03-15
材料電學(xué)測(cè)試 納米測(cè)試
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關(guān)于SiP與先進(jìn)封裝的異同點(diǎn)
SiP系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package)，先進(jìn)封裝HDAP（High Density Advanced Package)，兩者都是當(dāng)今芯片封裝技術(shù)的熱點(diǎn)，受到整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高度關(guān)注。那么，二者有什么異同點(diǎn)呢？
2021-03-15
SiP 先進(jìn)封裝
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如何選取輸入電源Y電容？
隔離電源在初次級(jí)上加Y電容是為了給次級(jí)的共模電流提供一個(gè)回路到初級(jí)，減少共模電流對(duì)輸出的影響。有時(shí)候Y電容串接在大電解電容的正和或者是地之間，這都是可以的。有時(shí)候原副邊串兩個(gè)Y電容是為了提供更高的耐壓。
2021-03-15
電源 Y電容
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詳解PWM驅(qū)動(dòng)MOS管H橋電路
H橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，因?yàn)樗碾娐沸螤羁崴谱帜窰，故得名與“H橋”。4個(gè)三極管組成H的4條垂直腿，而電機(jī)就是H中的橫杠（注意：圖中只是簡(jiǎn)略示意圖，而不是完整的電路圖，其中三極管的驅(qū)動(dòng)電路沒有畫出來）。
2021-03-15
PWM驅(qū)動(dòng) MOS管 H橋電路
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10kHz MEMS加速度計(jì)，提供4mA至20mA輸出，適合狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用
狀態(tài)監(jiān)控(CbM)是一種預(yù)測(cè)性維護(hù)方式，其利用各種傳感器來評(píng)估設(shè)備隨時(shí)間的運(yùn)行狀態(tài)。收集的傳感器數(shù)據(jù)用于建立基線趨勢(shì)，從而幫助診斷甚至預(yù)測(cè)故障。與傳統(tǒng)的定期預(yù)防性維護(hù)模式相比，利用CbM可以在需要時(shí)進(jìn)行維護(hù)，時(shí)間和成本都能得到節(jié)省。
2021-03-15
MEMS加速度計(jì) 狀態(tài)監(jiān)控 應(yīng)用
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TL431反饋回路的分析和設(shè)計(jì)
TL431（如圖一）是最常用的三端可調(diào)電流基準(zhǔn)源之一，熱穩(wěn)定性能好，性價(jià)比高，被廣泛應(yīng)用于運(yùn)放電路，比較器電路，ADC基準(zhǔn)源，可調(diào)壓電源，開關(guān)電源等。在隔離開關(guān)電源電路中尤為常見，TL431常被用做運(yùn)放配合線性光耦來完成電壓環(huán)的補(bǔ)償。如圖二所示（圖中L是為了降低輸出電壓紋波加的小電感）。
2021-03-15
TL431 反饋回路 設(shè)計(jì)
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一種改善數(shù)字調(diào)光閃爍的方法
在低壓調(diào)光應(yīng)用領(lǐng)域，通常會(huì)采用Buck降壓調(diào)光驅(qū)動(dòng)器，具有高效率、高集成度和低成本等優(yōu)勢(shì)。對(duì)于Buck降壓調(diào)光驅(qū)動(dòng)器，存在High-side Buck和Floating Buck兩種輸出拓?fù)洹Ｈ鐖D1所示，F(xiàn)loating Buck中，燈串和電源輸出并聯(lián)；High-side Buck中，燈串直接連接輸入，和濾波電感串聯(lián)。相比Floating Buck，H...
2021-03-15
數(shù)字調(diào)光閃爍 方法 Buck降壓調(diào)光驅(qū)動(dòng)器
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