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SiC MOSFET功率模塊是快速充電應用的理想選擇
碳化硅（SiC）MOSFET在功率半導體市場中正在迅速普及，因為一些最初的可靠性問題已經解決，并且價格水平已經達到了非常有吸引力的點。隨著市場上的器件越來越多，了解SiC MOSFET的特性非常重要，這樣用戶才能充分利用每個器件。本文將為您介紹SiC MOSFET的發展趨勢，以及由安森美（onsemi）所推出的1200V SiC MOSFET功率模塊的產品特性。
2022-10-20
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應用中，特別是對于一些600V小功率的IGBT，業界總是嘗試把驅動級成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅動（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單并且成本低。
2022-10-19
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號最豐富的國產廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達到國際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國際一流廠商。總裁黃興博士用高性能和高可靠性的產品證明派恩杰是國產碳化硅功率器件的佼佼者，展現了超高的碳化硅設計能力和工藝水平。
2022-10-19
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LED串中升壓電源調節電流的示例
在此配置中，外設配置為產生大多數電流模式的固定頻率電源。COG是互補輸出發生器。其功能是通過上升沿和下降沿輸入構成的可編程死區生成互補輸出。CCP配置為生成可編程的頻率上升沿。當電流超出斜率補償器的輸出時，比較器C1生成下降沿。CCP可與C1結合來產生占空比。一些拓撲（如升壓、反激或SEPIC）需要占空比。運放OPA用于提供反饋和補償。
2022-10-19
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ADI和Keysight Technologies強強聯手 共推相控陣技術加速部署
中國，北京–2022年10月17日–Analog Devices, Inc (Nasdaq: ADI)和Keysight Technologies, Inc. (NYSE: KEYS)宣布合作，共同加速相控陣技術的推廣與部署。相控陣技術能夠簡化與創建衛星通信、雷達和相控陣系統相關的開發工作，是實現無處不在的連接和泛在檢測的關鍵。
2022-10-18
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瑞薩電子完成對Steradian的收購
2022 年 10 月 17 日，日本東京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成對提供4D成像雷達解決方案的無晶圓半導體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收購。
2022-10-18
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貿澤電子提供豐富資源幫助工程師打造未來自主移動機器人
專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 為工程師提供有關工業自動化應用的豐富信息，包括加速設計和開發自主移動機器人 (AMR) 所需的資源和產品。
2022-10-17
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善用可靠且性價比高的隔離技術來應對高電壓設計挑戰
本文將概述電隔離，解釋高壓系統的常用隔離方法，并展示德州儀器 (TI) 隔離集成電路 (IC) 如何幫助設計人員可靠地滿足隔離需求，同時縮小解決方案尺寸并降低成本。
2022-10-17
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貿澤電子新增36家品牌制造商 進一步擴大產品分銷陣容
2022年10月13日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 截止到2022年8月底新增了36家制造商，進一步擴充了產品分銷陣容。貿澤目前分銷1200多家品牌制造商，為全球設計工程師客戶群、元器件采購人員、采購代理、教育工作者和學生提供廣泛的產品選擇。
2022-10-13
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芯片測試大講堂——MIPI D-PHY
大家好，由是德科技與上海集成電路技術與產業促進中心（上海ICC）聯合執筆的芯片測試系列與大家見面了，本期內容將聚焦于MIPI D-PHY測試，其中的內容匯集了雙方諸位資深工程師的一手經驗，摘要如下：
2022-10-12
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關技術，大家耳熟能詳的有零電壓開通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現在的電源產品中，絕大多數的采用軟開關拓撲的電源產品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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