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“創新強鏈，雙驅發展”2022中國（深圳）集成電路峰會在深圳坪山第二天論壇熱烈進行中（上）
由深圳市人民政府、中國半導體行業協會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導體行業協會社會承辦的以“創芯、 強鏈，雙驅發展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店繼續第二天多場行業論壇。ICS2022峰會集中展示了我國集成電路產業最新的技術成果，聚集了眾多國內外專家學者、技術大咖和企業領袖，圍繞集成電路技術與產業應用創新、產業鏈生態與安全機制建設、國際局勢分析與協同發展、技術演進趨勢與
2022-12-29
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“創新強鏈，雙驅發展”2022中國（深圳）集成電路峰會在深圳坪山第二天論壇熱烈進行中（下）
?由深圳市人民政府、中國半導體行業協會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導體行業協會社會承辦的以“創芯強鏈，雙驅發展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店繼續第二天多場行業論壇。ICS2022峰會集中展示了我國集成電路產業最新的技術成果，聚集了眾多國內外專家學者、技術大咖和企業領袖，圍繞集成電路技術與產業應用創新、產業鏈生態與安全機制建設、國際局勢分析與協同發展、技術演進趨勢與熱點
2022-12-29
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2022 中國（深圳）集成電路峰會隆重召開
【深圳坪山格蘭云天大酒店，2022年12月29日，深圳市半導體協會】由深圳市人民政府聯合中國半導體行業協會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組共同舉辦的以“創新強鏈，雙驅發展”為主題的“2022 中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022 峰會），于2022年12月29日至30日，在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉行。本屆峰會聚集了國內外著名院士、專家學者、政府官員、技術大咖和企業領袖，圍繞集成電路技術與產業應用創新、產業鏈生態與安全機制建設、國際局勢分析與協同發展、技術演進趨勢與熱點應用、資本整合與運作模式創新、芯片與整機產業聯動等方向，共同探討新形勢下的產業發展機遇，助推我國創新發展優勢，加快科技強國建設。
2022-12-29
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ICS 2022峰會直通車丨“線上線下”相結合，高效務實開峰會
?為減少人員聚集，降低疫情傳播風險 ，2022年中國（深圳）集成電路峰會（以下簡稱：ICS 2022峰會）將以“線上會議+線下會議”方式舉行。由深圳市人民政府聯合中國半導體行業協會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組擬定以“創新強鏈，雙驅發展”為主題，于2022年12月29日-30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉辦（憑綠碼即可參會）。
2022-12-28
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雙柵結構 SiC FETs 在電路保護中的應用
據介紹，Qorvo 是一家專注于射頻領域，在包括 5G、WiFi 和 UWB 等通信技術都有投入的公司。此外，Qorvo 在觸控和電源等方面也有布局。如在 2021 年領先碳化硅（SiC）功率半導體供應商 UnitedSiC 公司的收購，就擴展 Qorvo 在高功率應用方面的市場機會，這部分業務也被納入了 Qorvo 的 IDP 部門。
2022-12-28
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淺談碳化硅壽命中的挑戰
功率半導體作為電力電子行業的驅動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導體器件以其不斷優化的技術和成本優勢主導了整個電力電子行業，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統對高效率、高功率密度的需求。而當下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體以其優異的電學和熱學特性使得功率半導體器件的性能遠遠超過傳統硅材料的限制。
2022-12-26
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基于硅納米波導倏逝場耦合的超緊湊光學式MEMS加速度計
近些年，MEMS加速度計因其體積小、功耗低、易于與互補金屬氧化物半導體晶體管集成電路（CMOS IC）整合而受到持續關注。目前已經開發了電容、壓阻、壓電、光學等原理的加速度計，以檢測輸入加速度引起的檢測質量塊位移。在這些技術中，光學方案已被證明具有更高的精度和穩定性，并且不會受到電磁干擾（EMI）。
2022-12-26
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郵票式SoM模塊，加快工業以太網應用
現代工廠中，在設備上添加工業以太網功能已經成為已成為制造業搶抓機遇、塑造優勢的“必選項”。然而為實現工業以太網功能而修改設備的全部設計，這在時間和成本方面都造成了巨大的開發負擔。為應對這一挑戰，瑞薩推出了千兆工業以太網SoM解決方案，該方案使用瑞薩的電源管理IC、光電耦合器、EEPROM和其它混合信號器件，在SoM+載板架構中提供可配置的工業以太網。
2022-12-23
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物聯網原型開發，如何能夠“快”起來？
根據IDC的數據，2021年全球物聯網支出規模達6,902.6億美元，并有望在2026年達到1.1萬億美元，2022年至2026年的年復合增長率（CAGR）為10.7%。同時，IoT AnaIytics的研究報告也顯示，2020年全球物聯網設備連接數達113億，首次超過非物聯網設備連接數，預計2025年將達到270億，復合增長率更是高達22%！在可以預見的未來，物聯網中蘊藏著巨大的商機，這已是不爭的事實。
2022-12-23
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先進碳化硅技術，有效助力儲能系統
人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業，覆蓋工業、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實現了更小的占用空間。
2022-12-22
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簡述SiC MOSFET短路保護時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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氮化鎵柵極驅動專利：RC負偏壓關斷技術之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負壓關斷方案。
2022-12-22
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