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安森美收購賽普拉斯的CMOS圖像傳感器業務部
安森美半導體(ON Semiconductor)及賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor)宣布已簽署正式協議，安森美半導體將以約3,140萬美元的全現金交易收購賽普拉斯的CMOS圖像傳感器業務部(ISBU)。這項交易將根據例定成交條件(customary closing conditions)預計將在2011年第一季度底完成。
2011-01-31
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意法半導體與Bluechiip攜手生產追蹤標簽
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）與開發創新追蹤解決方案的Bluechiip公司宣布，雙方將攜手生產獨特的采用MEMS制造的追蹤標簽，新產品將針對多個市場，初期為開發生物數據庫等醫療保健市場。
2011-01-31
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浪涌保護器的概述及其在浪涌抑制器件中的應用
浪涌保護器(Surge protective device, SPD)，也稱電涌保護器、避雷器等，浪涌保護器并聯在被保護設備兩端，通過泄放浪涌電流、限制浪涌電壓來保護電子設備。本文主要講解浪涌保護器的選型、應用問題...
2011-01-31
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2006到2011年PCB產業年增長僅約5.3%
PCB產業除高端外增長依然緩慢，根據分析公司Prismark報告，PCB產業在2006年到2011年期間每年只增長約5.3%。分析公司指出，IC基板、盲埋孔板以及軟硬結合板分別增長7.7%、7.1%、6.3%，相對強勁的增長。
2011-01-31
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上季度全球智能手機出貨量增長75%
北京時間1月28日凌晨消息，市場研究公司Strategy Analytics的數據顯示，去年第四季度，全球智能手機出貨量達9410萬部，同比增長75%，刷新歷史最高紀錄。
2011-01-31
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芯科實驗室推出新一代紅外線和環境光傳感器
高性能模擬與混合信號IC領導廠商Silicon Laboratories (芯科實驗室有限公司)今天宣布推出面向人機界面(HI)應用的新一代紅外線(IR)和環境光傳感器。Silicon Labs QuickSenseHI產品組合的最新成員Si114x系列產品，為業界最高靈敏度、高效節能以及最遠感應距離的接近傳感器。采用極小的2mm × 2mm封裝，Si114x傳感器能夠用于手機、電子閱讀器、上網本、平板電腦、個人媒體播放器、玩具、辦公設備、工業控制、安全系統、銷售終端和許多其他設備，實現高級的接近感應和非接觸式界面。
2011-01-30
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雙核手機2011年或將拿下15％市場份額
市場調研公司Strategy Analytics在一份最新的研究分析報告中表示，采用雙核心設計甚至多核心設計的手機產品將會在2011年有比較大的爆發力，從今年的普及率來看，采用多核心設計的智能手機產品將會占到智能手機總比例的15%左右，而到2015年多核心設計的智能手機則將占據智能手機市場 45%的市場份額。
2011-01-28
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費產品功率轉換器
開關電源的設計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術知識，開發出經優化的功率MOSFET產品UniFET? II MOSFET，新產品具有更佳的體二極管和更低的開關損耗，并可在二極管恢復dv/dt模式下耐受雙倍電流應力。
2011-01-27
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飛兆半導體任命Dan Kinzer為首席技術官
全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布任命Dan Kinzer擔任首席技術官兼高級副總裁 (技術)。在其領導下，飛兆半導體將鞏固公司對技術創新的專注，進一步提升其針對功率電子和便攜應用的先進產品系列。
2011-01-25
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Si114x：Silicon Labs推出接近傳感器用于平板電腦
Silicon Labs QuickSense HI產品組合的最新成員Si114x系列產品，為業界最高靈敏度、高效節能以及最遠感應距離的接近傳感器。采用極小的2mm × 2mm封裝，Si114x傳感器能夠用于手機、電子閱讀器、上網本、平板電腦、個人媒體播放器、玩具、辦公設備、工業控制、安全系統、銷售終端和許多其他設備，實現高級的接近感應和非接觸式界面。
2011-01-25
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全球最薄內藏IC芯片及被動組件的PCB產品出爐
彩色濾光片暨光罩巨擘大日本印刷(DNP)19日發布新聞稿宣布，為了因應行動產品的小型化和高機能化，該公司已研發出一款可內藏IC芯片以及電容、電阻等被動組件的全球最薄印刷電路板(PCB)產品；該款組件內藏式PCB產品將開始提供送樣，并預計于今(2011)年秋天進行量產。
2011-01-24
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CMF20120D：美國科銳投產采用SiC的+1200V耐壓功率MOSFET
美國科銳（Cree）宣布，已經投產了采用SiC（碳化硅）材料的+1200V耐壓功率MOSFET“CMF20120D”（英文發布資料）。科銳是繼2010年12月的羅姆之后第二家宣布投產SiC功率MOSFET的企業。不過，科銳在發布資料中稱自己“是業界第一個投產的”。目標用途包括，太陽能發電用逆變器裝置、高電壓輸出DC-DC轉換器裝置以及馬達驅動用逆變器裝置等。
2011-01-24
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