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Digi-Key與Energy Micro達成北美分銷協議
電子元件經銷商Digi-Key Corporation日前宣布，已經與Energy Micro達成協議，為后者在北美地區分銷超低功率微控制器產品。
2010-03-02
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Microsemi在APEC 2010展示其全部功率半導體器件產品
Microsemi公司今天宣布將于本周在加利福尼亞州棕櫚泉(Palm Springs)的棕櫚泉會議中心(Palm Springs Convention Center)所舉行的應用功率電子學會議和展覽會 (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件產品，并在2個技術交流會上進行演講。
2010-03-01
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林德在光伏行業產能過剩的情況下仍實現增長并投資于創新
盡管經濟不景氣對市場走勢產生影響，林德集團旗下林德氣體事業部2009年全球光伏（PV）客戶群的總產能仍超過6GWp（十億峰瓦）。林德與多個世界領先的薄膜與晶體制造商簽訂新合同或續約，其中包括中國的福建鈞石（GS Solar）、尚德（Suntech），印度的Euro Multivision、Indo Solar、Solar Semiconductor，以及德國的博世（Bosch）、Malibu、Masdar等，顯示其市場動力增強。
2010-02-23
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IDC預測，操作系統將成為移動市場競爭的勝負關鍵
美國IDC于日前公布關于全球智能手機市場的發展趨勢預測。IDC預估2009年至2013年全球智能型手機的出貨量將會成長20.9%，達到3億9,000萬臺；另外，到了2013年，手機操作系統最廣受人們使用的為Symbian Foundation所提供的“Symbian”，而由Google所開發的“Android”操作系統則位居第二。
2010-02-22
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IDT 擴展在PCIe Express Gen2 系統互連解決方案領域領導地位
致力于豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT? 公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）宣布推出PCI Express? （PCIe?）Gen2 系統互連交換解決方案系列。該系列具有業界最先進的交換架構，支持多主通信和嵌入式應用的多域數據和控制平面連接。
2010-02-22
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國半的PowerWise引發綠色節能浪潮
美國國家半導體公司(National Semiconductor Corporation)宣布，該公司一直大力推廣的PowerWise系列解決方案不僅在業界引發“綠色節能”浪潮，而且創造了優異的市場業績。同時，美國國家半導體公司宣布將在2010年深入推廣“簡易設計”計劃，幫助客戶縮短設計周期，加快產品上市進程，從而贏得更多競爭優勢。
2010-02-19
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LED光引擎加快固態照明應用產品開發
Future Lighting Solutions公司發布了一系列獨有的光引擎（light engine）產品，該系列產品旨在加快固態照明應用產品的開發、原型制作和交付，并降低燈具的開發成本。這些光引擎是新制定的simpleLED計劃首批推出的產品，共有12種規格，提供600多種定制選項，均特別配備了按ANSI標準分級并且與關鍵部件集成的LUXEON? Rebel LED。
2010-02-19
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三款手機充電器解決方案比較
本文涉及TH102手機充電器解決方案設計技術細節，以及與兩款手機充電器競爭方案（POWER INTEGRATIONS INC的TNY264，ST的PIVer12A）的比較。
2010-02-19
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移動電子設備的電路保護方案
便攜式媒體播放器、導航設備、智能手機、PlayStation以及其他電池供電的便攜式設備的移動功能，為消費者提供了一種生活方式——可以將家里、辦公地點以及交通工具三者之間越來越緊密地聯系在一起。然而，這種便捷伴隨著一定的風險。這些產品的每次開啟和關閉都可能會因為用戶失誤、電源電壓不正確或者是瞬態電壓或瞬態電流而導致電路損壞。這篇文章通過兩個例子來探究新的電路保護技術如何幫助設計工程師節省寶貴的電路板空間，并滿足不斷發展的安全和性能標準。
2010-02-11
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Hittite推極低噪聲線性穩壓器
Hittite Microwave公司推出一款低噪聲，高電源抑制比，四路輸出的線性穩壓器HMC860LP3E。該產品具有低噪聲的帶隙參考……
2010-02-08
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Distribution推出符合UL60950-1認證的變壓器SM501-1
SM501-1表面貼裝電信變壓器符合UL60950-1安全標準，提供達4,600Vrms的絕緣測試。該變壓器采用12.5 x 9.6-mm矩形封裝……
2010-02-08
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Vishay Siliconix 發布4款600V MOSFET SiHx22N60S
Vishay 推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-02-04
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