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選擇高壓場效應管實現(xiàn)節(jié)能的技巧
高壓金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）技術在過去幾年中經歷了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細微差別及不同切換電路的應力，能夠幫助工程師避免許多問題，并實現(xiàn)效率最大化。本文講述高壓場效應管如何實現(xiàn)節(jié)能。
2010-06-18
場效應管 MOSFET 結溫度
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IGBT軟開關在應用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200VRC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。
2010-06-18
IGBT 軟開關 損耗 TrenchStop RC-IGBT
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薄膜電池市場份額擴張難加速
轉化率的提升無疑對薄膜電池的競爭力加分不少。然而，專家認為，由于綜合成本未實現(xiàn)全面下降，技術受制于人和穩(wěn)定性不足，薄膜電池的市場份額提升仍面臨著較大的阻力。
2010-06-18
薄膜電池 擴張 晶硅電池 轉換率
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物聯(lián)網(wǎng)家電：理想照進現(xiàn)實還需三五年
物聯(lián)網(wǎng)概念風起云涌，“錢”景無限惹來眾多家電企業(yè)搶灘。然而囿于目前行業(yè)標準缺失，整體互聯(lián)上下游商業(yè)模式并未成熟，物聯(lián)網(wǎng)家電從科技走向真正商業(yè)化尚需時日。海爾集團U-home本部總經理李莉估計整個的實現(xiàn)過程可能要三至五年。
2010-06-18
物聯(lián)網(wǎng)家電 商業(yè)化 搶灘
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無刷直流電機的無位置傳感器控制
無刷直流電機的無位置傳感器控制的難點在于轉子位置信號的檢測，目前國內外研究人員提出了諸多方法，其中反電動勢法最為簡單、可靠，應用范圍最廣泛。普遍采用的控制方案為基于DSP的控制和基于專用集成電路的控制等，但是其價格高、體積大，不利于用在微型電機控制器中。本文介紹基于C8051F330單片...
2010-06-16
無刷直流電機 傳感器 PWM
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馬達設計的技巧
現(xiàn)今的可調速驅動電路都采用變頻器來調整輸出電流，以滿足三相馬達的要求。變頻器的形狀大小通常會受到應用的限制。在許多情況下，電路板與馬達靠得很近，而馬達構造的高度也會受限。另外，所用高功率半導體器件的物理性質和所選封裝的形狀，也要求電路板上有足夠的位置空間。本文為你講解馬達設計...
2010-06-15
馬達 布局約束 變頻器
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安森美半導體收購SDT 醫(yī)用助聽器DSP技術實力得到強化
安森美半導體宣布收購Sound Design Technologies, Ltd.（SDT），收購將有助于增強安森美半導體在助聽器及音頻處理應用超低功耗DSP技術實力，SDT將被納入安森美半導體位于加拿大安大略省滑鐵盧的醫(yī)療部。
2010-06-13
助聽器 高密度封裝 安森美半導體
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汽車級IGBT在混合動力車中的設計應用
根據(jù)不同車輛設計，逆變器可能放置在汽車尾箱、變速箱內或引擎蓋下靠近內燃機的位置，因此IGBT模塊要經受嚴峻的溫度(-40℃～150℃)和機械條件(振動、沖擊)的考驗。本文為你介紹汽車級IGBT在混合動力車中的設計應用。
2010-06-13
IGBT 混合動力車 逆變器
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Fairchild推出自動選擇高速USB開關FSA2000
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)專注開發(fā)提升用戶滿意度以及使產品取得市場成功的模擬和功率功能，為手機設計人員提供一款集成有無電容耳機音頻放大器的自動選擇高速USB開關FSA2000.
2010-06-13
Fairchild 自動選擇 USB開關 FSA2000
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