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電源管理

Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V時導通電阻僅為9.4 m?

日前，Vishay宣布推出新款8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻，4.5V時導通電阻僅為9.4 m?。

2012-06-29

TrenchFET 功率MOSFET N溝道器件

更高的集成度、更低的成本需要更深入的系統(tǒng)理解

行業(yè)分析師們一致認為未來系統(tǒng)的發(fā)展趨勢是移動便攜、“綠色”節(jié)能，以及在終端設備中集成更多的傳感器。這種發(fā)展趨勢，要求模數(shù) (ADC) 轉(zhuǎn)換器和數(shù)模 (DAC) 轉(zhuǎn)換器具有更多的通道數(shù)、更高的速度和性能，同時還要求更低的功耗預算、更小的尺寸以及更低的成本。

2012-06-29

集成度成本系統(tǒng)

高可靠性醫(yī)療設備電源選型參考與應用實例

一臺醫(yī)療設備在醫(yī)院是否能夠發(fā)揮其最大效能，除了與機器本身的技術性能有直接的關系外，還和供電電源的質(zhì)量有著極其重要的關系。電源品質(zhì)的好壞，將直接影響醫(yī)療設備的運行穩(wěn)定性和可靠性，甚至導致重大醫(yī)療設備事故和造成巨大的經(jīng)濟損失。為此，深圳中電華星電子技術有限公司針對目前醫(yī)療設備市場...

2012-06-28

醫(yī)療電子電源選型

Vishay新款MLCC的Q值可達2000以上適合高頻和微波應用

Vishay宣布推出新系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介質(zhì)損耗角，可在高頻商用應用中工作。

2012-06-27

MLCC 高Q值 Vishay 高頻

羅姆超低IR肖特基勢壘二極管降低車載、電源設備的功耗達40％

日本知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）近日面向車載、電源設備，開發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低IR肖特基勢壘二極管“RBxx8系列”。與傳統(tǒng)的車載用整流二極管相比，可降低約40%的功耗，非常有助于電動車（EV）和混合動力車（HEV）等要求更低功耗的電路節(jié)能。

2012-06-27

羅姆二極管 RBxx8系列

電裝推出輸出功率密度高達60kW/L的SiC逆變器

由電裝與豐田汽車及豐田中央研究所的共同研發(fā)，采用SiC功率元件制成的逆變器，其輸出功率密度高達60kW/L。該試制品通過將功率半導體材料由原來的Si改為SiC，同時功率元件內(nèi)部通過采用自主開發(fā)的構造實現(xiàn)了低電阻化，從而降低了電力損耗。

2012-06-26

SiC逆變器電裝

為獨立設備提供更高的安全性和更長的電池使用壽命

電池供電設備的范圍已從用于工匠的強大手工工具擴展到用于房屋監(jiān)督甚至醫(yī)療救助服務的傳感器。此類設備的安全性面臨著巨大的挑戰(zhàn)。為確保安全操作這些獨立設備，SCHURTER 提供了兩款具有低功耗且高容限的跳閘時間的 SMD 保險絲。

2012-06-25

獨立設備安全性電池

羅姆新款用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率MOSFET實現(xiàn)FOM降低50%

羅姆面向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。FOM與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比降低了50％，實現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和高頻下更低的電力損耗，并采用小型封裝，有助于更加節(jié)省空間。

2012-06-22

DC/DC轉(zhuǎn)換器功率MOSFET FOM 羅姆

飛思卡爾推出新的28納米 QorIQ AMP 系列處理器

為了幫助先進的網(wǎng)絡設備制造商滿足日益嚴格的能源、安全和處理要求，飛思卡爾半導體公司（NYSE：FSL）推出兩款新的QorIQ AMP系列處理器，旨在提供一個理想的性能、功耗和集成組合。

2012-06-21

飛思卡爾 QorIQ AMP

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