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三相IGBT全橋隔離驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)
本文針對(duì)10 kW三相IGBT全橋變換器設(shè)計(jì)了一種隔離驅(qū)動(dòng)電源，提供4路相互隔離的輸出，每路輸出均提供+15 V／-9 V電源。電源功率較小，考慮成本和效率，采用單端反激式結(jié)構(gòu)。
2011-10-11
IGBT 全橋隔離 驅(qū)動(dòng)電源 隔離驅(qū)動(dòng)電源 變換器
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MAX14821：Maxim推出尺寸最小的IO-Link物理層收發(fā)器用于工業(yè)控制
Maxim Integrated Products, Inc 推出業(yè)內(nèi)尺寸最小的IO-Link?物理層(PHY)收發(fā)器MAX14821。MAX14821采用2.5mm x 2.5mm WLP封裝，與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比可節(jié)省60%以上的空間，適合微小尺寸產(chǎn)品設(shè)計(jì)。附加的數(shù)字輸出、輸入以及內(nèi)部?jī)陕返蛪翰罹€性穩(wěn)壓器，為復(fù)雜的傳感器模塊提供更大的設(shè)計(jì)靈活性。該IO-Link收...
2011-10-11
MAX14821 Maxim IO-Link 物理層 PHY
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LED照明迎來(lái)行業(yè)大洗牌
在當(dāng)前熒光粉價(jià)格10倍增長(zhǎng)、節(jié)能燈成本陡增的關(guān)口，LED燈近期卻因上游芯片降價(jià)而價(jià)格持續(xù)走跌。這將進(jìn)一步撬動(dòng)LED照明應(yīng)用市場(chǎng)，加速LED照明的示范應(yīng)用和普及，至2015年末我國(guó)的LED照明滲透率有望達(dá)到甚至超過(guò)20%，LED照明產(chǎn)業(yè)或?qū)⒂瓉?lái)行業(yè)大洗牌。
2011-10-11
LED LED照明 電子信息 LED路燈
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觸摸屏成電子產(chǎn)品主流 上市公司搶蛋糕
與節(jié)節(jié)上升的食品等物價(jià)相比，電子類(lèi)產(chǎn)品的價(jià)格可謂每況愈下，技術(shù)的持續(xù)改進(jìn)迭加終端款式的推陳出新，使得電子類(lèi)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)頗為激烈，為此企業(yè)一方面要不斷推出新品，緊跟行業(yè)潮流，另一方面需降價(jià)搶占更大市場(chǎng)。
2011-10-11
電容式觸摸屏 投射電容 平板電腦 液晶
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光伏市場(chǎng)供過(guò)于求 2012依然倍受壓力
受歐債危機(jī)和國(guó)內(nèi)市場(chǎng)低迷的影響，國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)被一片緊張氣氛所包圍，光伏產(chǎn)業(yè)鏈從上游晶硅價(jià)格到下游組件價(jià)格呈一路下滑態(tài)勢(shì)。據(jù)最新數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，國(guó)內(nèi)多晶硅現(xiàn)貨主流報(bào)價(jià)為35-39萬(wàn)元/噸，比年初68-74萬(wàn)元/噸的報(bào)價(jià)低出一半，光伏電池組件價(jià)格也在過(guò)去三個(gè)月內(nèi)下降了30%。
2011-10-11
光伏組件 多晶硅 組件降價(jià) 光伏產(chǎn)業(yè)
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光器件市場(chǎng)無(wú)泡沫 40G與WSS 2012將再度走強(qiáng)
2010年，全球光器件和模塊市場(chǎng)銷(xiāo)售收入年增長(zhǎng)率超過(guò)30%，這樣的增速加大了業(yè)者對(duì)潛在市場(chǎng)泡沫的擔(dān)憂。
2011-10-11
光模塊 40G WSS 光器件
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2015年平板貢獻(xiàn)半導(dǎo)體達(dá)200億美元
國(guó)際研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner(顧能)近日舉辦半導(dǎo)體全球巡回論壇。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首席分析師李輔邦表示，平板電腦未來(lái)5年的平均年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)77%，并估計(jì)到2015年，平板電腦貢獻(xiàn)半導(dǎo)體業(yè)的營(yíng)收將達(dá)200億美元。另外，他指出，ARM是智慧型手機(jī)和平板電腦崛起的最大贏家，估計(jì)未來(lái)5年仍能守穩(wěn)80%市占率。
2011-10-11
ARM 平板 平板電腦 半導(dǎo)體業(yè)
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高性能氮化鎵晶體管研制成功
據(jù)悉，法國(guó)和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向?yàn)?00）基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。科學(xué)家可據(jù)此研制出兼具CMOS芯片的計(jì)算能力和氮化鎵晶體管大功率容量的混合電子元件，以獲得更小更快、能耗更低的電子設(shè)備。
2011-10-11
氮化鎵晶體管 晶體管 電子元件
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RFID通訊組件設(shè)計(jì)與應(yīng)用
首先介紹了RFID中間件的概念，接著介紹了通訊組件所處理的數(shù)據(jù)的封裝格式：即某企業(yè)的系列高頻讀寫(xiě)器的通訊協(xié)議格式。在此基礎(chǔ)上，建立了底層數(shù)據(jù)通訊接口組件、設(shè)備網(wǎng)絡(luò)接口組件、設(shè)備參數(shù)接口組件、對(duì)標(biāo)簽讀寫(xiě)操作接口組件、數(shù)據(jù)庫(kù)接口組件等五個(gè)接口組件的軟件設(shè)計(jì)，最終實(shí)現(xiàn)了RFID中間件通訊組...
2011-10-11
RFID 通訊組件 中間件 標(biāo)簽
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