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日本地震影響全球IT產(chǎn)業(yè) 四月產(chǎn)品短缺與否?
——看4月深圳中國電子展日本遭遇的地震，海嘯，以及隨之而來的電力短缺，將會(huì)在短期內(nèi)對(duì)全球電子配件供應(yīng)造成影響，甚至可能顯著推高某些設(shè)備的價(jià)格，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli進(jìn)行了分析。
2011-04-01
地震 中國電子展 會(huì)展中心
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2011中國消費(fèi)電子熱點(diǎn)話題大聯(lián)播
移動(dòng)互聯(lián)的持續(xù)升溫、三網(wǎng)融合進(jìn)程的提速、平板電腦這個(gè)值得期待的“殺手應(yīng)用”的強(qiáng)勢(shì)登場(chǎng)、3D生活帶來的無限遐想……這一切預(yù)示著2011年對(duì)于中國消費(fèi)電子行業(yè)來說將是風(fēng)起云涌的一年。
2011-04-01
消費(fèi)電子 中國電子展 2011szbd
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汽車如何成為移動(dòng)生活的重要節(jié)點(diǎn)
汽車消費(fèi)被“限購”的背后，就是巨大的“需求”——汽車已經(jīng)成為現(xiàn)代人生活中的必不可少的一個(gè)部分，同時(shí)它也必將成為互聯(lián)互通的信息社會(huì)中，一個(gè)重要的信息節(jié)點(diǎn)。除了代步的基本屬性，汽車也應(yīng)該發(fā)揮著越來越綜合的信息交互平臺(tái)的作用。在車載電子中，設(shè)計(jì)者們應(yīng)該如何發(fā)揮想象力？
2011-04-01
汽車電子 中國電子展
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平板電腦設(shè)計(jì)的中國力量展示
iPad2的面市，再次對(duì)全球平板電腦的熱潮起到推波助瀾的作用。需求的成長與競(jìng)爭的加劇，使得投身于這個(gè)熱鬧市場(chǎng)中的業(yè)者喜憂參半。在這種矛盾而喧囂的情況下，中國的平板電腦設(shè)計(jì)者們?cè)谒伎夹┦裁矗吭谧鲂┦裁矗?/p>
2011-04-01
平板電腦 中國電子展 2011szbd
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厚度比以往薄26％的零組件內(nèi)藏式印刷電路基板
大日本印刷開發(fā)薄型內(nèi)藏電子零組件的印刷電路板，基板厚度比該公司以往的基板薄約26%，僅0.28，由于改良材料及絕緣層的構(gòu)造，實(shí)現(xiàn)世界最薄的內(nèi)藏的基板。
2011-04-01
內(nèi)藏式 印刷 電路基板
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SL353系列：霍尼韋爾推出微功耗全極數(shù)字式霍爾效應(yīng)傳感器集成電路
霍尼韋爾旗下傳感與控制部近日宣布推出SL353系列“微功耗全極數(shù)字式霍爾效應(yīng)傳感器集成電路”。SL353系列采用BiCMOS IC設(shè)計(jì)，這是霍尼韋爾的一項(xiàng)新技術(shù)，相對(duì)雙極技術(shù)而言，該技術(shù)在增添更多性能和功能的同時(shí)減小集成電路的尺寸。
2011-04-01
微功耗 全數(shù)字 霍爾效應(yīng)傳感器
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士蘭微電子推出F-Cell系列第四代MOSFET產(chǎn)品用于LED 照明
士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產(chǎn)品——F-Cell系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發(fā)所推出的第四代平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET產(chǎn)品，工作電壓可以覆蓋400V—900V區(qū)間，工作電流在1A—18A之間，可以兼容多晶穩(wěn)壓管結(jié)構(gòu)以提高 ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，導(dǎo)通電阻低，動(dòng)態(tài)參數(shù)優(yōu)等特點(diǎn)...
2011-04-01
士蘭微 MOSFET 平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET
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日系中小尺寸面板轉(zhuǎn)單可望Q2-Q3顯現(xiàn)
受到日本地震及限電等因素影響，日本中小尺寸面板大廠包括NEC、HITACHI、 TOSHIBA近期產(chǎn)能受挫，預(yù)料最快要等到4月份以后才會(huì)陸續(xù)復(fù)工。但因下半年就是傳統(tǒng)旺季，市場(chǎng)預(yù)期，這可能將使部份日系中小尺寸面板訂單，轉(zhuǎn)移外包到臺(tái)灣面板廠，可望對(duì)臺(tái)系中小尺寸面板供貨商第二季到第三季業(yè)績表現(xiàn)，帶來正...
2011-04-01
日系中小尺寸面板 日系面板 日系中小尺寸面板轉(zhuǎn)單
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SiR640DP/SiR662DP:Vishay Siliconix推出新款N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
2011-04-01
溝道功率 MOSFET 導(dǎo)通電阻
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