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我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，CITE2022的這個(gè)專區(qū)要“火”！
近年來(lái)，隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、汽車電子、智能手機(jī)、智能穿戴、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)及安防電子等為主的新興應(yīng)用領(lǐng)域需求不斷增長(zhǎng)，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展。特別是2014年《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》政策出臺(tái)以來(lái)，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在良好的政策環(huán)境和投融資背景下取得了明顯的效果，2020年中國(guó)...
2021-12-29
集成電路 CITE
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一文搞懂ADC分辨率和精度的區(qū)別
搞嵌入式的，對(duì)ADC不陌生，但ADC中有很多關(guān)鍵參數(shù)信息比較重要。今天為大家分享一下ADC中最重要的兩個(gè)參數(shù)：分辨率和精度。
2021-12-29
ADC分辨率 ADC精度
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反激設(shè)計(jì)背后的秘密之能量傳輸與控制
對(duì)于許多設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，反激拓?fù)涫堑托阅堋⒌托屎筒畹慕徊嬲{(diào)節(jié)的同義詞。為了充分發(fā)揮這種拓?fù)涞臐摿Γ枰芎玫乩斫馑脑S多不那么明顯的微妙之處。本篇文章主要先介紹反激變換器基礎(chǔ)知識(shí)回顧。
2021-12-28
反激設(shè)計(jì) 能量傳輸
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高壓放大器在頻閃成像技術(shù)MEMS離面運(yùn)動(dòng)中的應(yīng)用
MEMS是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)，采用硅微加工技術(shù)、光刻鑄造成型(LIGA)和精密機(jī)械加工等多種微加工技術(shù)制作的，關(guān)鍵尺寸在亞微米至亞毫米范圍內(nèi)的微傳感器、微執(zhí)行器和微系統(tǒng)的總稱
2021-12-28
高壓放大器 頻閃成像技術(shù) MEMS 離面運(yùn)動(dòng)
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使用多路復(fù)用器在伺服驅(qū)動(dòng)控制模塊中優(yōu)化保護(hù)和精度特性
在設(shè)計(jì)可靠的伺服驅(qū)動(dòng)控制模塊時(shí)，精度和保護(hù)特性對(duì)于確保可靠運(yùn)行至關(guān)重要。如果在設(shè)計(jì)過(guò)程中沒(méi)有重視這些特性，可能會(huì)導(dǎo)致讀數(shù)錯(cuò)誤或者模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)或微控制器損壞，從而降低系統(tǒng)效率或?qū)е峦C(jī)。
2021-12-28
多路復(fù)用器 伺服驅(qū)動(dòng)控制模塊
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電路解析穩(wěn)壓管的伏安特性
今天學(xué)習(xí)了一個(gè)傳感器電路，覺(jué)得這個(gè)電路設(shè)計(jì)的不錯(cuò)挺有意思就把他解析了一下并且記錄下來(lái)，有不對(duì)的地方還請(qǐng)見各位不吝賜教。
2021-12-28
電路 穩(wěn)壓管 伏安特性
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
英飛凌IGBT模塊開關(guān)狀態(tài)下最高工作結(jié)溫一般是150度，而IGBT7短時(shí)過(guò)載情況下的最高工作結(jié)溫可達(dá)175度。那么IGBT模塊一輩子都可以生活在這樣的舒適區(qū)享受人生嗎？
2021-12-28
IGBT 短路 結(jié)溫
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如何評(píng)測(cè)模擬開關(guān)？
目前我手邊正在進(jìn)行的項(xiàng)目是打造一款機(jī)載軍事服務(wù)對(duì)講機(jī)，它具有許多不同的信號(hào)路徑和隔離要求——簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，該設(shè)備與其他任何東西的隔離度都必須優(yōu)于100dB。由于涉及信號(hào)切換操作，因此當(dāng)其信號(hào)路徑應(yīng)該關(guān)斷時(shí)，我們就需要表征開關(guān)隔離特性。
2021-12-27
模擬開關(guān)
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雙向直流變換器的原理
雙向直流變換器采用經(jīng)典BUCK/BOOST電路拓?fù)洌邆渖祲弘p向變換功能，即升降壓斬波電路。能量從C1流向C2時(shí)，直流變換器工作在BOOST模式下，實(shí)現(xiàn)升壓功能；能量從C2流向C1時(shí)，直流變換器工作在BUCK模式下，實(shí)現(xiàn)降壓功能。
2021-12-27
雙向直流變換器
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