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國產(chǎn)技術(shù)新勢力！Aquacells超純水EDI打破進口壟斷
近日，由武漢淡元格新型膜材料有限公司（以下簡稱Aquacells）自主生產(chǎn)的EIMD-HP 熱水消毒型EDI（Electrodeionization）膜堆，在制藥行業(yè)超純水制備領(lǐng)域引發(fā)國內(nèi)外高度關(guān)注。
2025-06-11
國產(chǎn)技術(shù)
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如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)？
在開關(guān)模式電源（SMPS）中使用氮化鎵（GaN）技術(shù)時，盡管其在高功率密度、高頻開關(guān)和低功耗方面具有顯著優(yōu)勢，但也面臨一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-06-10
氮化鎵技術(shù) 開關(guān)模式電源
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安森美攜新款智能圖像感知方案亮相Vision China（上海）2025
近日，由武漢淡元格新型膜材料有限公司（以下簡稱Aquacells）自主生產(chǎn)的EIMD-HP 熱水消毒型EDI（Electrodeionization）膜堆，在制藥行業(yè)超純水制備領(lǐng)域引發(fā)國內(nèi)外高度關(guān)注。該產(chǎn)品憑借150次高溫巴氏消毒后，性能依舊穩(wěn)定如初的卓越表現(xiàn)，在3月荷蘭阿姆斯特丹國際水處理展（Aquatech Amsterdam）及4...
2025-06-10
武漢淡元格
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30＋款新品齊發(fā)！南京派格測控正式發(fā)布自研模塊化儀器儀表
在半導(dǎo)體ATE領(lǐng)域深耕多年，派格測控始終致力于為客戶提供高精度、高可靠性的芯片測試解決方案，不斷的提煉行業(yè)客戶的需求，優(yōu)化產(chǎn)品參數(shù)指標，經(jīng)過數(shù)年潛心鉆研，今天，我們迎來了一次重要的升級——正式發(fā)布自研模塊化儀器儀表！
2025-06-10
南京派格測控
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挑戰(zhàn)極限溫度：高溫IC設(shè)計的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)
在汽車引擎艙的200℃熱浪中，或在深地鉆探設(shè)備的極限工況下，集成電路（IC）的‘心臟’——半導(dǎo)體結(jié)溫正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。環(huán)境溫度與結(jié)溫的差值每擴大10℃，芯片壽命可能縮短一半。安森美（onsemi）的Treo平臺的創(chuàng)新設(shè)計證明：通過材料革新（如SiC/GaN）與動態(tài)熱管理，高溫IC的可靠性可提升3倍以上。本...
2025-06-09
集成電路 IC設(shè)計 結(jié)溫
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Arm 攜手微軟賦能開發(fā)者創(chuàng)新，共筑云計算和 PC 未來
Arm 和微軟正攜手共筑未來，從而使創(chuàng)新不受設(shè)備功耗或不同部署環(huán)境的限制。在近期舉行的微軟 Build 大會上，Arm 的愿景實現(xiàn)再次得到體現(xiàn) —— 致力于確保微軟的整個軟件生態(tài)系統(tǒng)都能訪問
2025-06-09
Arm
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GaN如何攻克精密信號鏈隔離難題？五大性能優(yōu)勢與典型場景全揭秘
在工業(yè)自動化、醫(yī)療設(shè)備和新能源監(jiān)測等高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，隔離式精密信號鏈的安全性與能效至關(guān)重要。傳統(tǒng)硅基隔離器件面臨高頻損耗大、體積笨重等瓶頸，而氮化鎵（GaN）憑借其寬禁帶半導(dǎo)體特性，正在顛覆這一領(lǐng)域。GaN隔離器件通過高頻高效、高功率密度、卓越隔離性能等優(yōu)勢，成為精密信號鏈設(shè)...
2025-06-06
GaN 隔離器件 精密信號鏈
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隔離式精密信號鏈在不同場景數(shù)據(jù)采集的選型指南與設(shè)計實踐
在工業(yè)自動化、醫(yī)療設(shè)備和電力監(jiān)測等高精度數(shù)據(jù)采集場景中，系統(tǒng)的準確性和可靠性直接取決于信號鏈的設(shè)計。隔離式精密信號鏈通過切斷接地環(huán)路、抑制共模干擾（如工業(yè)環(huán)境中的50Hz工頻噪聲）和阻斷高壓瞬變（如電力系統(tǒng)的浪涌），成為保障數(shù)據(jù)完整性與操作安全的關(guān)鍵技術(shù)。隨著邊緣智能的普及，對信...
2025-06-06
隔離式精密信號鏈 選型指南 數(shù)據(jù)采集
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如何根據(jù)不同應(yīng)用場景更精準地選擇薄膜電容？
在選擇薄膜電容時，需要根據(jù)具體應(yīng)用場景的需求，綜合考慮電容的容量、耐壓、頻率特性、溫度穩(wěn)定性、可靠性等關(guān)鍵參數(shù)。
2025-06-05
薄膜電容
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